Silicijev karbid vrhunske električne zmogljivosti

Silicijev karbid (SiC) kaže vrhunsko električno zmogljivost v primerjavi s tradicionalnimi materiali na osnovi silicija, zaradi česar je zelo zaželen za različne elektronske aplikacije.

Pošlji povpraševanje

Opis

Edinstvene lastnosti SiC omogočajo visoko zmogljive elektronske naprave z večjo učinkovitostjo in zanesljivostjo.
Vrhunska električna zmogljivost Silicon Carbide.SiC s širokim pasovnim pasom omogoča višje prebojne napetosti, kar omogoča razvoj visokonapetostnih močnostnih naprav. Naprave na osnovi SiC lahko delujejo pri višjih napetostih, hkrati pa ohranjajo svojo strukturno celovitost in električno zmogljivost. Ta lastnost je še posebej ugodna pri aplikacijah močnostne elektronike, kjer so potrebne višje napetosti.

Specifikacija

Lastnina	Vrednost
Kemijska formula	Sic
Kristalna struktura	Šesterokotna
Gostota	3,21 g/cm³
Tališče	2730 stopinj (4946 stopinj F)
Trdota (Mohsova lestvica)	9.5
Toplotna prevodnost	120-200 W/m·K
Električna upornost	10⁵-10⁷ Ω·m
Koeficient toplotnega raztezanja (CTE)	4.0-6.0 x 10⁻⁶/stopinja
Najvišja delovna temperatura	1,600-2,800 stopinj (2,912-5,072 stopinj F)
Youngov modul	370-700 GPa
Poissonovo razmerje	0.16-0.22
Dielektrična konstanta	9.7-10.7
Energija pasovne vrzeli	2.2-3.3 eV
Kemična odpornost	Zelo odporen na kisline, alkalije in oksidacijo
Odpornost na toplotni udar	Odlično
Odpornost proti obrabi	Odlično
Odpornost proti obrabi	Odlično
Visokotemperaturna stabilnost	Odlično

Superior Electrical Performance Silicon Carbide

Vrhunska električna zmogljivost Silicijev karbid. Poleg tega ima SiC večjo hitrost nasičenja kot silicij, kar omogoča hitrejši transport elektronov in izboljšano delovanje naprave pri visokih frekvencah. Naprave na osnovi SiC lahko delujejo pri višjih preklopnih hitrostih, kar omogoča učinkovito pretvorbo energije in zmanjšanje preklopnih izgub. Zaradi te lastnosti je SiC primeren za visokofrekvenčne aplikacije, kot so brezžični komunikacijski sistemi in radarski sistemi.

SiC kaže tudi nižje koncentracije intrinzičnih nosilcev in zmanjšane tokove uhajanja v primerjavi s silicijem. Ta lastnost ima za posledico nižje izgube prevodnosti in izboljšano energetsko učinkovitost v elektronskih napravah. Močnostna elektronika na osnovi SiC lahko doseže večjo energetsko učinkovitost, zmanjša porabo energije in proizvodnjo toplote.

pogosta vprašanja

V: Ali ste trgovsko podjetje ali proizvajalec?
O: Smo proizvajalec v Henanu na Kitajskem. Vse naše stranke doma ali v tujini. Veselim se vašega obiska.

V: Kakšne so vaše prednosti?
O: Imamo lastne tovarne. Imamo bogate izkušnje na področju metalurške proizvodnje jekla.

V: Ali je cena po dogovoru?
O: Da, če imate kakršna koli vprašanja, nas kontaktirajte kadar koli. In za stranke, ki želijo povečati trg, se bomo potrudili podpreti.