Silicijev karbid/SiC v mineralih in metalurgiji

Silicijev karbid (SiC)je spojina silicija in ogljika s kemijsko formulo SiC. Je širokopasovni polprevodnik, kar pomeni, da ima večjo energijsko vrzel med valenčnim in prevodnim pasom kot tradicionalni polprevodniki, kot je silicij, zaradi česar je primeren za aplikacije z visoko močjo, visoko frekvenco in visoko temperaturo.

Silicijev karbid (SiC)obstaja v več politipih, vključno z alfa-SiC, beta-SiC in kubičnim SiC. Vsak politip ima različne fizikalne in elektronske lastnosti, njihove lastnosti pa je mogoče dodatno spremeniti z vnosom dopirnih nečistoč v material.

Silicijev karbid (SiC)se uporablja v različnih aplikacijah, vključno kot abrazivni material v rezalnih orodjih in brusih, v aplikacijah pri visokih temperaturah, kot so komponente peči in grelni elementi, v elektronskih napravah, kot so tranzistorji in diode visoke moči, ter v detektorjih sevanja. Zaradi njegovih lastnosti širokopasovne vrzeli je še posebej primeren za uporabo v visokonapetostni, visokofrekvenčni močnostni elektroniki, ki se uporablja v aplikacijah, kot so električna vozila in sistemi obnovljivih virov energije.