Tehnologija izdelave silicijevega karbida
Oblika: grudasta/praškasta oblika
silicijev karbid v prahu za ognjevzdržne materiale
Opis
Opis
Silicijev karbid (SiC) je priljubljen material v svetu elektronike zaradi svojih vrhunskih kemijskih in fizikalnih lastnosti. Uporablja se pri izdelavi elektronskih komponent, kot so MOSFET-ji, diode in napajalni moduli.
Proizvodnja SiC je kompleksen proces, ki zahteva strokovno znanje in posebno opremo. Najpogostejša metoda, ki se uporablja za proizvodnjo SiC, je Achesonov postopek, ki vključuje segrevanje mešanice koksa in peska v električno odporni peči. Rezultat reakcije je nastanek kristalov SiC, ki se nato zdrobijo in razvrstijo glede na njihovo velikost in kakovost.
Druga metoda, ki se uporablja za proizvodnjo SiC, je postopek kemičnega naparjevanja (CVD). Ta metoda vključuje reakcijo med reaktivnimi plini, kot sta silan (SiH4) in metan (CH4) v vakuumski komori. Reakcija proizvede plast SiC na substratu, kot je silicijeva rezina.
Specifikacija
| Model | Odstotek komponente | |||
| 60# | Sic | F.C | Fe2O3 | |
| 65# | 60 min | 15-20 | 8-12 | 3,5 maks |
| 70# | 65 min | 15-20 | 8-12 | 3,5 maks |
| 75# | 70 min | 15-20 | 8-12 | 3,5 maks |
| 80# | 75 min | 15-20 | 8-12 | 3,5 maks |
| 85# | 80 min | 3-6 | 3,5 maks | |
| 90# | 85 min | 2,5 maks | 3,5 maks | |
| 95# | 90 min | 1.0maks | 1,2 maks | |
| 97# | 95 min | 0.6maks | 1,2 maks | |
V zadnjih letih je proizvodna tehnologija SiC napredovala z uvedbo novih metod rasti kristalov SiC, kot sta PVT (fizični transport pare) in HTCVD (termično kemično nanašanje pare v vročih stenah). Ti postopki omogočajo izdelavo večjih in bolj enakomernih kristalov SiC z manj napakami v primerjavi s postopkom Acheson.
Proizvodna industrija SiC še naprej raste zaradi vse večjega povpraševanja po elektronskih napravah, ki zahtevajo visoko moč, visoko temperaturo in visokofrekvenčno zmogljivost. Uporaba komponent SiC lahko odgovori na te zahteve z zmanjšanjem izgub moči, povečanjem učinkovitosti ter zmanjšanjem velikosti in teže.
Skratka, proizvodna tehnologija SiC je ključna sestavina elektronske industrije. Z napredkom v metodah rasti kristalov SiC lahko pričakujemo, da bo proizvodnja komponent SiC v prihodnjih letih še naprej rasla. Posledica tega bodo učinkovitejše elektronske naprave, ki so bolj primerne za okolja z visoko močjo in visoko temperaturo.
pogosta vprašanja
V: Kako nadzirate kakovost izdelkov?
O: Imamo lasten laboratorij z napredno napravo za testiranje. Izdelki bodo pred odpremo strogo pregledani, da se zagotovi, da je blago kvalificirano.
V: Ali izdelujete posebne velikosti?
O: Da, lahko izdelamo dele glede na vaše zahteve.
V: Ali jih imate na zalogi in kakšen je dobavni rok?
O: Imamo dolgoročno zalogo, da izpolnimo zahteve strank. Blago lahko odpošljemo v 7 dneh, izdelke po meri pa v 15 dneh.
V: Kakšna je MOQ poskusnega naročila?
O: Brez omejitev, lahko ponudimo najboljše predloge in rešitve glede na vaše stanje.
Priljubljena oznake: tehnologija izdelave silicijevega karbida
Pošlji povpraševanje
Morda vam bo všeč tudi
